Impact of Lateral Isolation Oxides on Radiation-Induced Noise Degradation in CMOS Technologies in the 100-nm Regime

Articolo

Data di Pubblicazione:

2007

Tipologia CRIS:

1.1 Articolo in rivista

Keywords:

shallow trench isolation; deep sub micron CMOS; electronic noise; ionizing radiation effects

Elenco autori:

Autori di Ateneo:

RATTI LODOVICO

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Pubblicato in:

Journal