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  1. Pubblicazioni

Gaussian semiconductor superlattice

Articolo
Data di Pubblicazione:
2000
Abstract:
We study GaAs-Al(x)Ga(1−x)As superlattices where the heights of the barriers are modulated by a Gaussian profile. Such structures present bands of almost unscattered electronic states. The calculated energy levels of the superlattice agree well with the photoluminescence spectra recorded at low temperature.
Tipologia CRIS:
1.1 Articolo in rivista
Keywords:
Photoluminescence; Modulated Superlattice; Energy Bands
Elenco autori:
E., Diez; I., Gómez; F., Domínguez Adame; R., Hey; Bellani, Vittorio; Parravicini, Gianbattista
Autori di Ateneo:
BELLANI VITTORIO
Link alla scheda completa:
https://iris.unipv.it/handle/11571/100601
Pubblicato in:
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
Journal
  • Dati Generali

Dati Generali

URL

http://dx.doi.org/10.1016/S1386-9477(00)00071-0
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