Noise degradation induced by γ-rays on P- and N-channel junction field-effect transistors

Articolo

Data di Pubblicazione:

1999

Tipologia CRIS:

1.1 Articolo in rivista

Keywords:

ionizing radiation effects; junction field-effect transistor; low-noise design; Lorentizan noise

Elenco autori:

Autori di Ateneo:

RATTI LODOVICO

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Pubblicato in:

Journal