Gamma-ray response of SOI bipolar junction transistors for fast, radiation tolerant front-end electronics
Articolo
Data di Pubblicazione:
2004
Tipologia CRIS:
1.1 Articolo in rivista
Keywords:
silicon on insulator; low-noise design; radiation damage; noise measurements
Elenco autori:
Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Fallica, G.
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