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  1. Pubblicazioni

Noise Behavior of a 180 nm CMOS SOI Technology for Detector Front-End Electronics

Articolo
Data di Pubblicazione:
2008
Tipologia CRIS:
1.1 Articolo in rivista
Keywords:
silicon on insulator; deep submicron CMOS; low-noise design
Elenco autori:
Re, V.; Gaioni, L.; Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Yarema, R.
Autori di Ateneo:
RATTI LODOVICO
Link alla scheda completa:
https://iris.unipv.it/handle/11571/134947
Pubblicato in:
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
Journal
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