Comprehensive Study of Total Ionizing Dose Damage Mechanisms and Their Effects on Noise Sources in a 90 nm CMOS Technology

Articolo

Data di Pubblicazione:

2008

Tipologia CRIS:

1.1 Articolo in rivista

Keywords:

ionizing radiation effects; shallow trench isolation; nanoscale CMOS; noise measurements

Elenco autori:

Autori di Ateneo:

RATTI LODOVICO

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Pubblicato in:

Journal