Transient effects in partial-RESET programming of phase change memory cells

Articolo
Data di Pubblicazione:
2011
Tipologia CRIS:
1.1 Articolo in rivista
Keywords:
PHASE-CHANGE MEMORIES; NON-VOLATILE MEMORIES; PARTIAL-RESET PROGRAMMING; MULTILEVEL STORAGE
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unipv.it/handle/11571/280512
Pubblicato in:
SOLID-STATE ELECTRONICS
Journal