ID:
502498
Durata (ore):
102
CFU:
9
SSD:
ELETTRONICA
Anno:
2024
Dati Generali
Periodo di attività
Secondo Semestre (03/03/2025 - 13/06/2025)
Syllabus
Obiettivi Formativi
Il corso ha lo scopo di fornire le conoscenze di base nel campo dell’elettronica, utili per la comprensione del funzionamento ed il progetto di sistemi in tecnologia a componenti discreti ed integrata. Gli argomenti affrontati comprendono i circuiti analogici lineari e non lineari con amplificatori operazionali, il diodo a semiconduttore, il transistore MOSFET e gli schemi di amplificazione di base realizzati con transistori MOSFET, le porte logiche elementari, in particolare in tecnologia CMOS, ed i loro parametri caratteristici, e le memorie digitali.
Il corso ha un duplice valore, formativo ed informativo. Esso introduce lo studente, da un lato, alle metodologie tipiche dell’elettronica e fornisce, dall’altro, conoscenze indispensabili per l’analisi ed il progetto di circuiti elettronici. Al termine del corso, lo studente sarà in grado di effettuare l’analisi (in continua e in alternata, per piccoli e ampi segnali) di semplici circuiti elettronici con amplificatori operazionali, diodi e transistori MOSFET. Avrà inoltre appreso la struttura ed il principio di funzionamento dei blocchi di base per l’amplificazione dei segnali e sarà in grado di riconoscere e valutare le principali specifiche dei componenti elettronici.
Il corso ha un duplice valore, formativo ed informativo. Esso introduce lo studente, da un lato, alle metodologie tipiche dell’elettronica e fornisce, dall’altro, conoscenze indispensabili per l’analisi ed il progetto di circuiti elettronici. Al termine del corso, lo studente sarà in grado di effettuare l’analisi (in continua e in alternata, per piccoli e ampi segnali) di semplici circuiti elettronici con amplificatori operazionali, diodi e transistori MOSFET. Avrà inoltre appreso la struttura ed il principio di funzionamento dei blocchi di base per l’amplificazione dei segnali e sarà in grado di riconoscere e valutare le principali specifiche dei componenti elettronici.
Prerequisiti
E’ richiesta la conoscenza del calcolo differenziale e dei numeri complessi, dei principi dell’elettromagnetismo e dei metodi di analisi dei circuiti elettrici (leggi di Kirchhoff, teoremi di Thevenin e di Norton, principio di sovrapposizione degli effetti, concetto di impedenza di un componente elettrico lineare).
Metodi didattici
Lezioni (ore/anno in aula): 38
Esercitazioni (ore/anno in aula): 48
Attività pratiche (ore/anno in aula): 8
Le lezioni sono tenute usando materiale didattico preparato dal docente, condivise in aula tramite un computer e un proiettore, e rese disponibili sulla piattaforma Kiro; sono integrate con esempi numerici, anche svolti alla lavagna.
Le esercitazioni consistono nella risoluzione di testi d’esame degli anni precedenti, adeguati al livello di preparazione progressivamente acquisito dagli studenti.
Le attività pratiche consistono nell'utilizzo della strumentazione elettronica di base per lo svolgimento di misure su semplici circuiti elettronici: le attività vengono svolte nel laboratorio didattico di elettronica circuitale del dipartimento di Ingegneria Industriale e dell'Informazione.
Esercitazioni (ore/anno in aula): 48
Attività pratiche (ore/anno in aula): 8
Le lezioni sono tenute usando materiale didattico preparato dal docente, condivise in aula tramite un computer e un proiettore, e rese disponibili sulla piattaforma Kiro; sono integrate con esempi numerici, anche svolti alla lavagna.
Le esercitazioni consistono nella risoluzione di testi d’esame degli anni precedenti, adeguati al livello di preparazione progressivamente acquisito dagli studenti.
Le attività pratiche consistono nell'utilizzo della strumentazione elettronica di base per lo svolgimento di misure su semplici circuiti elettronici: le attività vengono svolte nel laboratorio didattico di elettronica circuitale del dipartimento di Ingegneria Industriale e dell'Informazione.
Verifica Apprendimento
L’esame finale consiste in una prova scritta, della durata di 2 ore, ed in una eventuale prova orale. La prova scritta è volta a valutare le conoscenze dello studente, la sua comprensione degli argomenti del corso e la sua capacità di risolvere problemi. Essa consiste in due esercizi, ciascuno con almeno 3 quesiti. Gli esercizi prevedono l'analisi di semplici circuiti con amplificatori operazionali, diodi e transistori. Durante la prova scritta, non è ammessa la consultazione di alcun testo o materiale personale dello studente. Durante la prova scritta, lo studente potrà avvalersi esclusivamente di un formulario, fornito dai docenti insieme al testo della prova, contenente le principali equazioni di funzionamento di transistori e diodi. Il formulario verrà anche reso disponibile per consultazione sulla piattaforma Kiro di elearning dell’insegnamento all’inizio del secondo semestre dell’anno accademico. La valutazione della prova scritta è in trentesimi. E' possibile sostenere la prova orale solo dopo il superamento della prova scritta, che si ottiene con un punteggio di almeno 18/30. L’obiettivo della prova orale è quello di accertare le conoscenze dello studente, la sua comprensione degli argomenti del corso e la sua capacità di risolvere problemi e di comunicare contenuti tecnici con linguaggio appropriato. La prova orale può diventare facoltativa se lo studente risponde correttamente ad alcuni quesiti della prova scritta ritenuti essenziali ed indicati esplicitamente nel testo. Se l'orale è facoltativo e lo studente decide di non sostenerlo, il voto finale massimo conseguibile è di 26/30. Nel caso lo studente sostenga la prova orale, il voto finale risulterà dalla media aritmetica dei voti riportati nella prova scritta e nella prova orale. Il voto finale viene espresso in trentesimi. La soglia di superamento dell’esame è 18/30 ed il voto massimo è 30/30 e lode.
Testi
Microelectronic Circuits
Seventh edition
Autori: Adel Sedra e Kenneth Smith
The Oxford Series in Electrical and Computer Engineering
ISBN: 9780199339143
Materiale didattico (slides delle lezioni, registrazioni, testi di esame di appelli passati) è disponibile su Kiro al link:
https://elearning.unipv.it/course/view.php?id=1029
Altri testi di supporto consigliati
F. Maloberti, G. Martini. Esercizi di Elettronica Applicata. Ed. Spiegel (1998), Milano (disponibile in biblioteca).
F. Maloberti. Understanding Microelectronics: A Top-Down Approach. John Wiley and Sons, Chichester (2012) (disponibile in biblioteca).
Y. Tsividis. A First Lab in Circuits and Electronics. John Wiley & Sons, Inc., New York (2002) (disponibile in biblioteca).
Seventh edition
Autori: Adel Sedra e Kenneth Smith
The Oxford Series in Electrical and Computer Engineering
ISBN: 9780199339143
Materiale didattico (slides delle lezioni, registrazioni, testi di esame di appelli passati) è disponibile su Kiro al link:
https://elearning.unipv.it/course/view.php?id=1029
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Y. Tsividis. A First Lab in Circuits and Electronics. John Wiley & Sons, Inc., New York (2002) (disponibile in biblioteca).
Contenuti
Segnali analogici e digitali. Elaborazione e trasmissione dell’informazione.
Circuiti lineari.
Amplificatori, loro modelli e risposta in frequenza. Teoremi di Thevenin e di Norton. Risposta in frequenza e nel dominio del tempo di reti con una sola costante di tempo (reti STC). Rappresentazione grafica della risposta in frequenza con diagrammi di Bode.
Amplificatori operazionali.
Amplificatori operazionali ideali e relativi modelli circuitali. Configurazione invertente e non invertente. Circuiti con amplificatori operazionali per l'elaborazione analogica del segnale. Non idealità dell’amplificatore operazionale.
Diodi.
Il diodo ed il suo utilizzo circuitale. Il diodo a semiconduttore: struttura e principio di funzionamento, caratteristica corrente-tensione e comportamento con la temperatura. Diodi a valanga e Zener. Circuiti statici con diodi. Modello del diodo per ampi e piccoli segnali.
Circuiti non lineari con diodi.
Raddrizzatori a semplice e doppia semionda. Rivelatore di picco. Circuiti di aggancio e limitatori.
Il FET Metallo-Ossido-Semiconduttore (MOSFET).
Il MOSFET ad accumulo (canale N e canaleP): struttura, principio fisico, caratteristiche corrente-tensione. Il MOSFET a svuotamento. Polarizzazione del MOSFET ad accumulo in circuiti discreti. Amplificatori per piccoli segnali con MOSFET. Amplificatori a stadio singolo con sorgente, con gate e con drain comune. Specchio di corrente. Amplificatori MOS in tecnologia integrata con carichi attivi. Amplificatori CMOS. Porte di trasmissione lineari con transistori MOSFET.
Circuiti digitali con transistori MOSFET.
Caratteristica dell’invertitore. Invertitore CMOS. Circuiti logici in tecnologia CMOS. Circuito bistabile. Multivibratori astabili (generatori di forme d’onda) e monostabili. Cenni di memorie ad accesso casuale (RAM).
Circuiti lineari.
Amplificatori, loro modelli e risposta in frequenza. Teoremi di Thevenin e di Norton. Risposta in frequenza e nel dominio del tempo di reti con una sola costante di tempo (reti STC). Rappresentazione grafica della risposta in frequenza con diagrammi di Bode.
Amplificatori operazionali.
Amplificatori operazionali ideali e relativi modelli circuitali. Configurazione invertente e non invertente. Circuiti con amplificatori operazionali per l'elaborazione analogica del segnale. Non idealità dell’amplificatore operazionale.
Diodi.
Il diodo ed il suo utilizzo circuitale. Il diodo a semiconduttore: struttura e principio di funzionamento, caratteristica corrente-tensione e comportamento con la temperatura. Diodi a valanga e Zener. Circuiti statici con diodi. Modello del diodo per ampi e piccoli segnali.
Circuiti non lineari con diodi.
Raddrizzatori a semplice e doppia semionda. Rivelatore di picco. Circuiti di aggancio e limitatori.
Il FET Metallo-Ossido-Semiconduttore (MOSFET).
Il MOSFET ad accumulo (canale N e canaleP): struttura, principio fisico, caratteristiche corrente-tensione. Il MOSFET a svuotamento. Polarizzazione del MOSFET ad accumulo in circuiti discreti. Amplificatori per piccoli segnali con MOSFET. Amplificatori a stadio singolo con sorgente, con gate e con drain comune. Specchio di corrente. Amplificatori MOS in tecnologia integrata con carichi attivi. Amplificatori CMOS. Porte di trasmissione lineari con transistori MOSFET.
Circuiti digitali con transistori MOSFET.
Caratteristica dell’invertitore. Invertitore CMOS. Circuiti logici in tecnologia CMOS. Circuito bistabile. Multivibratori astabili (generatori di forme d’onda) e monostabili. Cenni di memorie ad accesso casuale (RAM).
Lingua Insegnamento
Italiano
Corsi
Corsi
3 anni
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Persone
Persone (2)
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