Total Ionizing Dose effects in 130-nm commercial CMOS technologies for HEP experiments

Articolo
Data di Pubblicazione:
2007
Tipologia CRIS:
1.1 Articolo in rivista
Keywords:
ionizing radiation damage; CMOS processes; rad-hard design; low-noise analog front-end
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.unipv.it/handle/11571/31898
Pubblicato in:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT
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