Response of SOI bipolar transistors exposed to gamma-rays under different dose rate and bias conditions

Articolo

Data di Pubblicazione:

2005

Tipologia CRIS:

1.1 Articolo in rivista

Keywords:

silicon on insulator; radiation damage; bipolar transistors; noise measurement

Elenco autori:

Autori di Ateneo:

RATTI LODOVICO

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Pubblicato in:

Journal