Investigating Degradation Mechanisms in 130 nm and 90 nm Commercial CMOS Technologies Under Extreme Radiation Conditions

Articolo

Data di Pubblicazione:

2008

Tipologia CRIS:

1.1 Articolo in rivista

Keywords:

radiation effect modeling; nanoscale CMOS; noise measurements; shallow trench isolation

Elenco autori:

Autori di Ateneo:

RATTI LODOVICO

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Pubblicato in:

Journal