Twofold coordinated Ge defects induced by gamma-ray irradiation in Ge-doped SiO2

Articolo

Data di Pubblicazione:

2008

Tipologia CRIS:

1.1 Articolo in rivista

Keywords:

SiO2; Ge-doping; defects; gamma rays

Elenco autori:

Alessi, A.; Agnello, S.; Gelardi, F. M.; Grandi, Stefania; Magistris, Aldo; Boscaino, R.

Link alla scheda completa:

https://iris.unipv.it/handle/11571/150513

Pubblicato in:

OPTICS EXPRESS

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