Tight-binding approach to excitons bound to monolayer impurity planes: Strong radiative properties of InAs in GaAs
Articolo
Data di Pubblicazione:
1998
Tipologia CRIS:
1.1 Articolo in rivista
Elenco autori:
Rita, Iotti; Andreani, Lucio; Massimiliano Di, Ventra
Link alla scheda completa:
Pubblicato in: