Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers
Articolo
Data di Pubblicazione:
2013
Tipologia CRIS:
1.1 Articolo in rivista
Keywords:
vertical integration technologies; CMOS; ionizing radiation effects
Elenco autori:
Valerio, Re; Luigi, Gaioni; Alessia, Manazza; Massimo, Manghisoni; Ratti, Lodovico; Gianluca, Traversi
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